SRAM、DRAM、NVRAM、Flash、EPROM、Disk 的区别
| 存储介质 | 中文名称 | 存储类型（易失性） | 核心工作原理 | 读写速度（相对） | 可擦写性 | 成本（单位容量） | 典型例子 | 核心应用场景 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SRAM | 静态随机存取存储器 | 易失性（断电丢失） | 基于触发器电路（双稳态电路）存储数据，无需刷新 | 最快（ns 级） | 无限次（只要通电） | 最高 | 处理器缓存（L1/L2/L3 Cache） | 高速缓存、需要极快读写的临时存储 |
| DRAM | 动态随机存取存储器 | 易失性（断电丢失） | 基于电容充放电存储数据，需定期刷新（约每 64ms） | 快（μs 级），比 SRAM 慢 | 无限次（只要通电 + 刷新） | 低，远低于 SRAM | 计算机内存（DDR4/DDR5）、显卡显存 | 主存、需要大容量高速临时存储 |
| NVRAM | 非易失性随机存取存储器 | 非易失性（断电保留） | 广义概念，核心是结合 RAM 的高速读写和非易失性，常见实现：1. 电池备份 SRAM（BBSRAM）2. 铁电存储器（FRAM）3. 磁阻存储器（MRAM） | 接近 SRAM（ns~μs 级） | 无限次（FRAM/MRAM） | 高，高于 DRAM | FRAM 芯片、MRAM 芯片 | 工业控制（断电需保存关键数据）、嵌入式系统配置存储、高速非易失缓存 |
| Flash | 闪存 | 非易失性（断电保留） | 基于浮栅晶体管存储电荷，分为 NOR Flash 和 NAND Flash | 中等（NOR 快于 NAND，μs~ms 级） | 有限次（擦写次数 1 万～10 万次） | 低，远低于 EPROM | U 盘、固态硬盘（SSD）、手机存储 | 大容量非易失存储、移动设备存储、嵌入式系统固件（NOR Flash） |
| EPROM | 可擦除可编程只读存储器 | 非易失性（断电保留） | 基于浮栅晶体管，早期需紫外线照射擦除（整芯片擦除），后续发展为 EEPROM（电擦除，字节级擦除） | 慢（ms 级），读速高于写速 | 有限次（EPROM 约 1000 次，EEPROM 约 1 万次） | 中，高于 Flash | 早期单片机固件、工业设备固化程序 | 早期固件存储、需要长期保存且极少修改的数据 |
| Disk | 磁盘（机械硬盘 HDD） | 非易失性（断电保留） | 基于磁介质存储数据，通过磁头读写磁盘片上的磁道 | 最慢（ms 级），寻道时间长 | 无限次（理论上） | 最低 | 机械硬盘（HDD）、外置硬盘 | 海量数据持久存储、备份存储、对速度要求不高的大容量存储 |
补充知识点
1. 易失性 vs 非易失性（软考高频区分点）
- 易失性存储：SRAM、DRAM，断电后数据立即丢失，核心用于临时高速存储（缓存、主存）。
- 非易失性存储：NVRAM、Flash、EPROM、Disk，断电后数据长期保留，核心用于持久存储（固件、文件、配置）。
2. 关键性能对比（从快到慢排序）
SRAM > NVRAM ≈ DRAM > Flash（NOR） > Flash（NAND） > EPROM > Disk
3. 核心区别总结
- SRAM vs DRAM：都易失，SRAM 靠触发器（无刷新、更快、更贵），DRAM 靠电容（需刷新、更慢、更便宜）。
- Flash vs EPROM：都非易失、基于浮栅，Flash 可电擦除（部分擦除、次数多），EPROM 早期需紫外线（整芯片擦除、次数少）。
- NVRAM：是高速非易失的通用概念，不是具体技术，核心优势是兼顾 RAM 的速度和非易失性。
- Disk：唯一的磁介质存储，速度最慢但成本最低、容量最大。